1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所，开启了中国半导体科学技术的发展之路。半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室(半导体所区)；三个院级实验室(中心)—半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心和中科院固态光电信息技术重点实验室。此外，还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室和元器件检测中心。
中国科学院半导体研究所于1960年成立，是中国国务院直属事业单位，是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。
研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。
据2016年9月研究所官网显示，研究所拥有14个科研机构，与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室；拥有3个博士后流动站，3个一级学科博士培养点，包括5个二级学科博士培养点；拥有5个二级学科硕士培养点，3个专业学位硕士培养点；共有职工690余名，在学研究生近600名。 2019年，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。
1956年，在中国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一，成立中国科学院物理研究所半导体研究室。
1957年秋天，半导体研究室拉制成功了中国第一根锗单晶。
1958年初秋，在林兰英带领下，中国的第一根硅单晶诞生。
北大门
1960年9月6日，在中国科学院物理研究所半导体研究室基础上成立中国科学院半导体研究所，隶属于中国科学院。
1975年，恢复中国科学院半导体研究所名称，隶属于中国科学院。
2006-2009年，连续四次获得“中央国家机关文明单位”荣誉称号。
2009年起，半导体所新增材料工程、电子与通信工程、集成电路工程3个专业学位硕士研究生（工程硕士）培养点。
2012年3月，半导体所申报的物理学、材料科学与工程、电子科学与技术三个一级学科博士培养点获得中国科学院通过。
2015年12月，英国《自然》出版集团以增刊方式发布了《2015中国自然指数》（NatureIndex2015China），半导体所位列第40名。
2016年3月5日，“半导体科技发展”技术科学论坛在中国科学院半导体研究所学术会议会议中心召开。
2016年5月，获“2015年度中科院决算编制工作先进单位”称号。
科研设备
截至2012年3月，中心具有各类环境模拟试验设备30余台（套），有Royce650 键合拉力与芯片剪切力测试仪、SM-105-MP AVEX 机械冲击台、TIRA 电磁变频振动台、WEB9051离心机、UL1000氦质谱检漏仪、EDA407内部水汽检测仪、TE-05-70-WH高低温(湿热)快速温度变化试验箱、内引线拉力、芯片剪切应力测试仪、PIND4511L颗粒碰撞噪声检测仪、充氮充氦氟油加压检漏装置、离心机、电动振动试验系统、冲击台、盐雾腐蚀试验箱、高温试验箱、高低温试验箱、高低温交变湿热试验箱、氦质谱检漏仪等设备，可依据GJB548B、GJB128A、GJB360A、GB/T2423等试验方法标准的要求开展相关试验，试验项目包括机械冲击、振动、恒定加速度、耐湿、盐雾、芯片剪切、键合拉力、粒子碰撞噪声（PIND）、粗细检漏以及高低温循环、贮存、老练、寿命、热冲击等，并可提供相应的试验报告及数据。
馆藏资源
据2016年9月研究所官网显示，研究所图书信息中心拥有科学出版社“科学文科”电子图书42000种、超星“读秀”中文电子书约400万种、方正中文电子书约200万种、半导体所电子书约4000种（英文700余种，中文3000余种），拥有IOPP英国物理学会电子书、SPIE国际光学工程学会电子书、Springer出版公司电子书、Wiley出版公司电子书、RSC英国皇家化学会电子书、Semiconductors and Semimetals（Elsevier系列丛书）、Progress in Optics（Elsevier系列丛书）、Solid State Physics（Elsevier系列丛书）等； 拥有566种电子期刊。
新科研楼
据2016年9月研究所官网显示，研究所共有职工690余名，其中科技人员480余名，正副研究员及高级工程技术人员209名。中国科学院院士7名、中国工程院院士2名、瑞典皇家科学院外籍院士1名、第三世界科学院院士1名、发展中国家科学院院士1名。中国科学院院士：黄昆（已故）、王守武（已故）、林兰英（已故）、王守觉（已故）、王启明、郑厚植、王占国、王圩、李树深、夏建白
中国工程院院士：梁骏吾、陈良惠
第三世界科学院院士、瑞典皇家科学院外籍院士：黄昆（已故）
发展中国家科学院院士：李树深
三号净化楼
据2016年9月研究所官网显示，研究所拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实验室、2个院级实验室（中心）；设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、元器件检测中心和半导体能源研究发展中心；科学技术部和国家外国专家局批准成立“国家级国际联合研究中心”。国家级研究中心：国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心
国家重点实验室：半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）
院级实验室（中心）：半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心
据2016年9月研究所官网显示，研究所与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发（转移）中心、9个联合实验室，融合社会资本建立了10余家高技术企业。
二号科研楼
院士工作站：河南省光电子技术院士工作站研发（转移）中心：苏州中科半导体集成技术研发中心、扬州中科半导体照明研发中心
联合实验室：中国科学院半导体所-纳川电子集成技术联合实验室 、西安交通大学—中国科学院半导体研究所信息功能材料与器件联合实验室 、中国科学院半导体所—四川九洲光电科技有限公司共建联合实验室 、中国科学院半导体研究所—迅捷光电联合实验室 、中国科学院半导体研究所—天津信息传感与智能控制产学研联合实验室 、扬州中科半导体照明有限公司—中科院半导体所联合实验室 、中国科学院半导体研究所—北京航星网讯技术股份有限公司联合实验室 、中国科学院半导体研究所—江苏领世激光科技有限公司联合实验室 、深圳市威富安防有限公司-中国科学院半导体研究所认知计算技术联合实验室
2001年，黄昆获国家最高科学技术奖。
一号科研楼
2008-2013年，共申请专利千余项，授权677项，每年SCI论文300篇以上。2006-2009年，研究所分别以技术入股、专利许可、技术授权等方式转让专利和专有技术58项，技术开发合同123项，技术开发合同及转让收入2.62亿元。截至2013年，研究所半导体材料制备与器件研制领域共获得127项专利，全固态激光器系统领域共获得13项专利，半导体光收发器件、光电子集成及光电传感器件、无源器件研制领域共获得306项专利，智能计算系统与模式识别领域共获得14项专利，半导体加工与测试工艺领域共获得28项专利，激光成像系统领域共获得12项专利，高亮度发光二极管（LED）工艺与设备领域共获得26项专利，集成电路设计与测试领域共获得36项专利，太阳能电池技术领域共获得25项专利。1985-2015年，研究所获北京市科技进步奖1项、北京市科学技术奖6项、北京市科学技术进步奖1项、北京市星火科技奖1项、高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）科技进步奖1项、国家技术发明奖3项、国家科技进步奖2项、国家科学技术进步奖19项、国家自然科学奖4项、河北省技术发明奖1项、化学工业部科技进步奖1项、机电部科技进步奖2项、省部技术发明奖1项、省部科学技术进步奖1项、省部自然科学奖1项、天津市科技合作奖1项、天津市科技进步奖2项、铁道部科技进步奖2项、中国电子学会科学技术奖2项、中华农业科技奖1项、中科院科技进步奖75项、中科院自然科学奖23个。
2010-2015年，以技术入股、专利许可、技术授权等方式转让专利和专有技术44项，技术合同253项，横向收入4.8亿元。
2019年，在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等，突破了锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术。在此基础上，研究团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈（LC-DFB）结构，成功实现了2μm波段高性能单模激光器，边模抑制比达到53dB，是同类器件的最高值；而且输出功率达到40mW，是同类器件的3倍以上。在锑化物量子阱大功率激光器方面， FP腔量子阱大功率激光器单管和巴条组件分别实现1.62瓦和16瓦的室温连续输出功率，综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。
该成果引起国际学术界和产业界广泛关注，《化合物半导体》杂志评价“该单模激光器开创性提升边模抑制比，为天基卫星载LIDAR系统和气体检测系统提供了有竞争力的光源器件”。该研究成果攻克了短波红外激光器领域关键技术，在危险气体检测、环境监测、医疗与激光加工等诸多高新技术产业具有非常广阔的应用价值。
《半导体学报》（Journal of Semiconductors）
《半导体学报》（Journal of Semiconductors）是月刊，由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
据2016年9月学校官网显示，学校拥有3个博士后流动站，3个一级学科博士培养点，5个二级学科博士培养点，5个二级学科硕士培养点，3个专业学位硕士培养点。
博士后流动站：物理学、材料科学与工程、电子科学与技术
一级学科博士培养点：物理学、材料科学与工程、电子科学与技术
二级学科博士培养点：凝聚态物理、材料物理与化学（半导体材料）、物理电子学、电路与系统、微电子学与固体电子学
二级学科硕士培养点：凝聚态物理、材料物理与化学、物理电子学、电路与系统、微电子学与固体电子学
专业学位硕士培养点：材料工程、电子与通信工程、集成电路工程
2015届毕业生中博士毕业86人，硕士毕业45人。
2015年12月，在首届国科杯“我要创业”大赛中，研究所创业团队参赛的“级联高新光电”项目获二等奖。
研究所设立了所长奖学金。
所徽
研究所所徽是汉字“半导”组合行程的图案，红色的1960是研究所创建年份。所徽的外环上方是研究所英文名称，下方中文名称。所徽整体以寓意严谨、科学的蓝色为主色调。
据2016年9月研究所官网显示，研究所先后组织师生开展羽毛球、排球、篮球友谊联赛、“我爱记歌词”大赛、“拒绝烟草·健康生活”签名活动、迎新年联谊会、趣味运动会、摄影大赛、征文比赛、爱国主义系列主题教育等活动。
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